威廉·肖克利

 

1910年2月13日，被稱為“晶體管之父”的威廉·肖克利（William Shockley）出生于英國倫敦。

他3歲隨父母舉家遷往美國加州。從事礦業(yè)的父母從小向他灌輸科學，加上中學教師斯拉特的熏陶，他考入了加州理工學院，后進入麻省理工(MIT)獲得固體物理學博士學位。1936-1955年，擔任貝爾實驗室晶體管物理部主任，主要負責技術工作。1955－1963年，在硅谷創(chuàng)辦肖克利半導體實驗室。1963年開始，擔任斯坦福大學工程科學教授。

二戰(zhàn)結(jié)束后，貝爾實驗室開始研制新一代的電子管，具體由肖克利負責。1947年圣誕節(jié)前兩天的一個中午，肖克利的兩位同事沃爾特·布萊登（Walter Brattain）和約翰·巴丁（John Bardeen），用幾條金箔片，一片半導體材料和一個彎紙架制成一個小模型，可以傳導、放大和開關電流。他們把這一發(fā)明稱為“點接晶體管放大器”（Point-Contact Transistor Amplifier）。1951年，他領導研究小組研制出第一個可靠的結(jié)型晶體管。晶體管具有很大的潛力，它與電子管不同，不需要預熱時間，不會產(chǎn)生熱量，不會燒壞，也不會漏氣和爆裂。晶體管比電子管更快、更小，為小型計算機奠定了基礎。這個用來代替真空管的電子信號放大元件，成為電子工業(yè)的強大引擎，被媒體和科學界稱為“20世紀最重要的發(fā)明”。

肖克利一生獲得了90多項發(fā)明專利。因?qū)Π雽w的研究和發(fā)現(xiàn)了晶體管效應，肖克利與巴丁和布拉頓分享了1956年度的諾貝爾物理學獎。

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1910年2月13日 晶體管發(fā)明人肖克利誕生

圖文簡介

1910年2月13日，被稱為“晶體管之父”的威廉·肖克利（William Shockley）出生于英國倫敦。