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幫助半導體發展歷程：
半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。1833年，英國的巴拉迪最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬。一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。
1839年，法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結在光照下會產生一個電壓，這就是后來人們熟知的光生伏特效應。這是被發現的半導體的第二個特征。
1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。
1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。
半導體的這四個效應雖在1880年以前就先后被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。同時半導體這四個特性的具體應用直到1947年12月由貝爾實驗室操作完成。
晶體管發展歷程：
20世紀最初的10年，通信系統已開始應用半導體材料。20世紀上半葉，在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機，就采用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在電話系統中得到了應用。
1947年12月，貝爾試驗室的3 名科學家共同發明了晶體管，與此同時包括大規模集成電路在內的全球性產業也由此誕生，自此開辟了現代電子時代。 由于在紐約的電子管市場不夠大，也不夠成熟，難以滿足日新月異的技術需求，西方電子決定在1946年將公司業務擴展到賓西法尼亞州，并于1947年的晚些時候正式投入量產。當第一條晶體管生產線于1951年建成后，一場從電子管技術到固態技術的再培訓計劃也隨之開始。1952年晶體管首次成功應用于電話網絡。
1947年12月，美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研制出一種點接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世，是20世紀的一項重大發明，是微電子革命的先聲。晶體管出現后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發明又為后來集成電路的誕生奠定了基礎。
隨著半導體技術的不斷發展，晶體管的運行速度更快，可靠性更高，成本也更低。1959 年，隨著能夠將大量的晶體管及其它電子器件集成到一塊硅片上的集成電路的發明，晶體管取得了新的突破。
集成電路發展歷程：
集成電路是一種微型電子器件，其中電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線通過一定工藝互相連接在一起，使所有元件構成一個整體。集成電路的整體性使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。
集成電路是20世紀50年代后期至60年代發展起來的一種新型半導體器件。目前半導體工業大多數應用的是基于硅的集成電路。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導體制造工藝，把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成的電子器件。集成電路技術包括芯片制造技術與設計技術。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發明者為杰克?基爾比和羅伯特?諾伊思。
參考資料:
中華商戶網
電子產品世界——新聞中心
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