化學機械拋光（CMP）技術是一種用于半導體制造和微電子工藝中的表面平整化處理方法。它結合了化學腐蝕和機械磨削的作用，能夠在納米級別上實現材料表面的平整度。

CMP技術

隨著半導體工業沿著摩爾定律的曲線急速下降，驅使加工工藝向著更高的電流密度、更高的時鐘頻率和更多的互聯層轉移。由于器件尺寸的縮小、光學光刻設備焦深的減小，要求片子表面可接受的分辨率的平整度達到納米級。

CMP是利用與被加工基片相匹配的拋光液在基片表層發生快速化學作用，形成一層相對于基體硬度較軟、強度較低、結合力較弱的表面軟化層；然后通過拋光墊與被加工基片之間的相對運動，利用拋光液中的磨料和拋光墊對被加工基片表面進行機械去除，降低拋光作用力而獲得高品質的加工表面。該方法是借助磨料機械作用及化學作用的協同來完成微量材料去除，能夠避免依靠單純使用機械拋光作用造成的加工損傷和單純使用化學拋光作用造成的拋光效率低、表面平整度和拋光一致性差等缺點。

如圖所示，主要包括硅片制造、IC制造（前端工藝、后端工藝）、測試與封裝幾個階段。在IC制造過程中，無論是氧化擴散、化學氣相沉積還是濺鍍和保護層沉積，均需要多次使用CMP技術。

形勢展望

CMP技術可用于各種高性能和特殊用途的集成電路制造，且應用領域日益擴展，已成為最為重要的超精細表面全局平面化技術，也是國際競爭的關鍵技術，其增長勢頭和發展前景非常可觀。深入研究和開發CMP技術，并形成擁有自主知識產權的材料和工藝，將促進我國IC產業的良性發展，提高我國在這一方面的國際地位，同時也將帶來了巨大的經濟和社會效益。

來源: 公眾號